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  • UDT-455/OSI-515#等多型號(hào)光電二極管放大器混合器

    混合系列光電二極管探測(cè)器放大器 Photop™系列 350nm-1100nm/200nm-1100nm采用集成封裝，確保在各種工作條件下的低噪聲輸出。這些運(yùn)算放大器是OSI光電工程師為兼容我們的光電二極管而專門選擇的。

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：UDT-455/OSI-515#等多型號(hào)
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  • P16309-01中紅外量子級(jí)聯(lián)超快光電探測(cè)器

    中紅外量子級(jí)聯(lián)超快光電探測(cè)器 產(chǎn)品總覽 這是一款超快中紅外光電探測(cè)器，響應(yīng)帶寬超過20GHz (-3 dB)。它無(wú)偏壓工作，不需要冷卻，因此不需要外部電源。安裝過程只需兩個(gè)簡(jiǎn)單步驟:將SMA裝置連接到測(cè)量?jī)x器(示波器等)，并將入射光定向到內(nèi)部聚焦透鏡。

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：P16309-01
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  • 2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中紅外探測(cè)器

    2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中紅外探測(cè)器是非制冷光伏探測(cè)器，基于HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)，集成跨阻、直流耦合前置放大器。它能夠在空間有限的長(zhǎng)波紅外測(cè)量系統(tǒng)中進(jìn)行組裝。

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • 銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面PIN光電二極管（900-1800nm，直徑10mm)

    便于客戶供電即用，探測(cè)器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測(cè)器前放置聚焦透鏡或者針孔 半導(dǎo)體激光二極管。 超大光敏面 銦鎵砷(InGaAs)PIN結(jié)二極管(PD) 光電二極管（10mm）近紅外波長(zhǎng)

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊GD4516YB

    APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊GD4516YB其采用 InGaAs 四象限 APD芯片與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。 銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊

    更新時(shí)間：2024-12-04
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