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硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm APD 是具有通過(guò)施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計(jì)。

硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm APD 是具有通過(guò)施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計(jì)。

190～ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器 我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見(jiàn)光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開(kāi)發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；索雷博THORLABS同款 ，無(wú)縫兼容；性能優(yōu)秀 ，高性價(jià)比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標(biāo)定制服務(wù)。

近紅外光自由運(yùn)行單光子探測(cè)器 近紅外自由運(yùn)行單光子探測(cè)器模組SPAD-NIR-FR是我司自主研發(fā)的一款自由運(yùn)行單光子探測(cè)器，可以探測(cè)到單光子水平的微弱光。其中，1550nm單光子的典型探測(cè)效率30%，后脈沖7%暗計(jì)數(shù)4kcps，時(shí)間抖動(dòng)250ps。SPAD-NIR-FR單光子探測(cè)器采用主動(dòng)淬滅、主動(dòng)恢復(fù)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)雪崩信號(hào)的快速抑制，減小模塊的暗計(jì)數(shù)和后脈沖。該產(chǎn)品可用于單光子激光雷達(dá)、量子

InGaAs 雪崩單元探測(cè)器 APD-5G-A 雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶 跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補(bǔ)償； 隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響